大陆自产光刻机参数曝光 与国际水平差多远

9月份中共工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，虽然这份清单包含了各种制造工具，但两台光刻机尤其引人注目。其中一台光刻机的参数是：采用波长为193nm、套刻精度低于8nm的氟化氩（ArF）光源，可在12英寸晶圆上实现65nm的分辨率。

一时之间，一些大陆舆论认为国产光刻机取得重大突破，甚至还有小粉红误以为套刻精度低于8nm，就可以生产8nm芯片。

作为光刻机的一个重要技术指标，套刻精度是指每一层曝光层之间的对准精度。

芯片制造过程是将多层的曝光图案一层一层实现，并堆叠而成，而两层之间需要精准对准，这就是套刻精度，并不是指能够制造的芯片工艺制程节点。

台湾IC设计资深经理Brad Liao对大纪元表示，光刻机是用类似曝光显影方式把图案弄到晶圆上，一个晶圆生产出来至少有10到20层光罩，每一个光罩和另一层光罩之间要对准，最好是对得准准的、完全没有误差，但不可能，它一定有偏移，那个偏移量就是套刻精度。

“套就是某一层跟某一层把它对起来，套刻精度只是两个光罩之间对准的好和坏，套刻的误差越小，代表机台越先进。越精细对起来就要越准，不然的话，图形本来就很细，只要稍微偏一点，可能不知道跑到哪里去。”

大陆芯智讯报导，这次曝光的65nm分辨率国产DUV光刻机，只是之前上海微电子90nm分辨率国产光刻机的改良版，只能满足55～65nm成熟制程芯片的制造需求，远远达不到28nm制程。

一位业内专家向芯智讯透露，虽然该光刻机的套刻精度为≤8nm，但只是出厂标准，在晶圆加工过程中还会带来误差，8nm的套刻精度，实际落在产品上可能就差不多11～12nm了，单次曝光最多只能做到55～65nm的水平。

如果要做多重曝光，套刻精度就需要足够的高，8nm的套刻精度无法完成多重曝光。