英特尔CEO：中国芯片制造能力落后十年

英特尔执行长帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在达沃斯论坛表示，中国在芯片（晶片）制造方面落后全球半导体产业约10年，而且这种状态将持续下去。

据CNBC报导，周三，在瑞士举行的2024年世界经济论坛年会上，英特尔负责人基辛格指出，当前多个国家的出口政策，加上行业内缺乏互联互通，导致中国芯片制程落后了10年，而且这是一个可持续差距。

“最近实施的出口政策，我们看到荷兰（政策）的实施，美国政策、日本政策，某种程度上为（中国半导体行业）在10到7纳米范围内设定了底线。”他说，“我们正在竞相向2奈米以下，然后是1.5奈米迈进，你知道我们看不到尽头。”

基辛格分析说，这并非说中国没有在创新，但这是一个高度互联的行业，涵盖了蔡司（ZEISS）的镜片、阿斯麦（ASML）的设备组装、日本的化学品和光刻胶（光阻剂）、英特尔的光罩制造等。

目前，中国的代工厂中芯国际拥有7奈米级的制程技术，比台积电和三星大约落后五年半。同时，据媒体报导，上海华力微电子股份有限公司（HLMC）已于2020年开始试产基于14奈米FinFET制造制程的芯片，这意味着它现在比台积电落后了9到10年。

然而，中芯国际和华力微电子都使用荷兰、日本、韩国、台湾和美国生产的工具，以及纯日本的原料。

“所有这些加在一起，我认为这是一个10年的差距，而且我认为在已经实施的出口政策的情况下，这是一个可持续的10年差距。”

拜登政府自2022年以来对中国实施了一系列出口限制，不仅禁止出口最尖端的芯片，还禁止出口芯片设计软件、制造设备和美国制造的零件。不仅如此，这些禁令还涵盖全球任何使用美国半导体技术的公司出口芯片。

如果英特尔执行长的说法可信，那么这些制裁目前似乎正在按预期发挥作用。中国继续因这些限制而落后之际，像英特尔这样的芯片制造商正在向未来迈进。